深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 華科智源-SIC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-10ms浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-二極管浪涌測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-浪涌電流測(cè)試設(shè)備，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us方波浪涌測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-02-20 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-二極管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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